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BSG0811NDATMA1

功能描述：MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

制造商：infineon technologies

系列：OptiMOS??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19A， 41A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：8.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1100pF @ 12V

功率 - 最大值：2.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TISON-8

标准包装：1

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